Оригинал взят у
Электронная структура атома вольфрама на острие зонда. Изменение расстояния между атомом вольфрама на острие зонда и атомом углерода поверхности графита позволяет «прощупывать» различные орбитали электронов в атоме вольфрама. Изображения получены Александром Чайкой в ИФТТ РАН на микроскопе GPI-300. Указаны масштабы по горизонтали и вертикали – 30 пикометра (0,03 нм)
Современные нанотехнологии невозможны без точнейшего исследовательского оборудования, позволяющего проникать внутрь структуры вещества и «видеть» отдельные атомы. Один из мощнейших инструментов подобного рода появился в 1980-е годы: именно тогда был создан сканирующий туннельный микроскоп, позволивший визуализировать атомы на поверхности тел. А уже в 1986 году за это изобретение сотрудникам Исследовательского центра компании IBM в Цюрихе Герду Биннигу и Генриху Рореру была присуждена Нобелевская премия по физике.
Дальнейшие успехи сканирующей туннельной микроскопии связаны с разработкой и развитием новых методик, позволяющих углубленно изучать свойства отдельных атомов и молекул, а также с улучшением пространственного разрешения СТМ. И в этой области российские ученые оказались среди лидеров. Совсем недавно исследователи из
Справка STRF.ru:
Самый известный пример успешно работающих, теперь уже массовых нанотехнологий, – электронные компоненты. С начала этого века область, которая ранее именовалась микроэлектроникой, перешла на новый уровень и стала наноэлектроникой: в 2003 году Intel стал использовать нанометровую технологию процессоров (менее 100 нм, в настоящее время 32 нм). Это массовая, серийная продукция, которая используется в любом современном компьютере. Уменьшение размеров процессоров позволяет существенно увеличить тактовую частоту и количество транзисторов при уменьшении тепловыделения.
В наноэлектронике СТМ используется не только как инструмент исследования, но и как инструмент создания нанообъектов. В исследовательском центре корпорации IBM, сотрудники которой изобрели СТМ,
Работу сканирующего туннельного микроскопа, использующего квантовый эффект туннелирования электронов, можно описать как «прощупывание» поверхности твердого тела. Очень тонкая игла-зонд (толщиной в один атом) перемещается над поверхностью изучаемого объекта на расстоянии, порядка одного нанометра. При таких малых расстояниях электроны туннелируют, то есть, преодолевают вакуумный барьер и между зондом и поверхностью образца возникает ток. По величине изменения туннельного тока при перемещении зонда вдоль поверхности рельеф её исследуется как бы «на ощупь».
Разрешение, экспериментально продемонстрированное в работе ученых ИФТТ, было достигнуто на сканирующем туннельном микроскопе, разработанном исключительно российскими исследователями. Прототип прибора был создан С.Л. Прядкиным с коллегами в ИФТТ РАН, а окончательный вариант сверхвысоковакуумного микроскопа – GPI-300 появился благодаря
В своей работе, опубликованной в Scientific Reports, исследователи показали возможность визуализации электронной структуры отдельного атома (см. фото). Уникальное разрешение достигнуто на уровне отдельных орбиталей электронов в атоме, чего раньше не получалось даже на сканирующих туннельных микроскопах, работающих при сверхнизких температурах.
«Первый раз такое разрешение мы получили в начале 2009 года, – рассказывает Александр Чайка, старший научный сотрудник лаборатории спектроскопии поверхности полупроводников ИФТТ РАН, – а
Это не первая публикация авторов по орбитальному разрешению в СТМ. В 2007 году была опубликована статья в
Высокое разрешение с помощью монокристаллических вольфрамовых зондов было получено при исследовании разных систем, представляющих интерес для науки и технологий:
Исследования российских ученых выполнены при поддержке Программ Российской Академии Наук (2004–2013 гг.), РФФИ и
источник: www.strf.ru
Journal information